第1章 CMOS设计概述
1.1 CMOS集成电路的设计流程制造
1.2 CMOS背景
1.3 SPICE概述
第2章 阱
2.1 图形转移n阱的图形转移
2.2 n阱版图设计n阱的设计规则
2.3 电阻值计算n阱电阻
2.4 n阱/衬底二极管
2.4.1 PN结物理学简介
2.4.2 耗尽层电容
2.4.3 存储或扩散电容
2.4.4 SPICE建模
2.5 n阱的RC延迟
2.6 双阱工艺
第3章 金属层
3.1 焊盘焊盘版图设计
3.2 金属层的版图设计
3.2.1 metal1和via1
3.2.2 金属层的寄生效应
3.2.3 载流极限
3.2.4 金属层设计规则
3.2.5 触点电阻
3.3 串扰和地弹
3.3.1 串扰
3.3.2 地弹
3.4 版图举例
3.4.1 焊盘版图II
3.4.2 金属层测试结构版图设计
第4章 有源层和多晶硅层
4.1 使用有源层和多晶硅层进行版图设计工艺流程
4.2 导线与多晶硅层和有源层的连接
4.3 静电放电(ESD)保护
第5章 电阻、电容、MOSFET
5.1 电阻
5.2 电容
5.3 MOSFET
5.4 版图实例
第6章 MOSFET工作原理
6.1 MOSFET的电容回顾
6.2 阈值电压
6.3 MOSFET的IV特性
6.3.1 工作在线性区的MOSFET
6.3.2 饱和区
6.4 MOSFET的SPICE模型
6.4.1 SPICE仿真实例
6.4.2 亚阈值电流
6.5 短沟道MOSFET
6.5.1 MOSFET缩比
6.5.2 短沟道效应
6.5.3 短沟道CMOS工艺的SPICE模型
第7章 CMOS制备
7.1 CMOS单元工艺步骤
7.1.1 晶圆的制造
7.1.2 热氧化
7.1.3 掺杂工艺
7.1.4 光刻
7.1.5 薄膜去除
7.1.6 薄膜沉积
7.2 CMOS工艺集成
7.2.1 前道工艺集成
7.2.2 后道工艺集成
7.3 后端工艺
7.4 总结
第8章 电噪声概述
8.1 信号
8.1.1 功率和能量
8.1.2 功率谱密度
8.2 电路噪声
8.2.1 电路噪声的计算和建模
8.2.2 热噪声
8.2.3 信噪比
8.2.4 散粒噪声
8.2.5 闪烁噪声
8.2.6 其他噪声源
8.3 讨论
8.3.1 相关性
8.3.2 噪声与反馈
8.3.3 有关符号的一些最后说明
第9章 模拟设计模型
9.1 长沟道MOSFET
9.1.1 平方律方程
9.1.2 小信号模型
9.1.3 温度效应
9.2 短沟道MOSFET
9.2.1 通用设计(起始点)
9.2.2 专用设计(讨论)
9.3 MOSFET噪声模型
第10章 数字设计模型
10.1 数字MOSFET模型
10.1.1 电容效应
10.1.2 工艺特征时间常数
10.1.3 延迟时间与跃迁时间
10.1.4 通用数字设计
10.2 MOSFET单管传输门电路
10.2.1 单管传输门的延迟时间
10.2.2 级联的单管传输门的延迟时间
10.3 关于测量的最后说明
附录