瞄准世界科技前沿和产业热点，反映我国宽禁带半导体研究领域核心科技创新、展示第三代半导体研究成果的第一套系列科技专著“宽禁带半导体前沿”丛书，日前由西安电子科技大学出版社出版。
该丛书为国家出版基金资助项目，编委会由中国科学院院士郝跃、郑有炓、刘明、江风益等多名科学家领衔，集中了北京大学、南京大学、中国科学技术大学、中山大学、西安电子科技大学、山东大学、中科院微电子研究所、中科院半导体研究所、中科院苏州纳米技术研究所等10余所高校、研究所的近40位中青年微电子专家。
以服务国家重大战略和学科发展需求为宗旨，该丛书致力于梳理宽禁带半导体基础前沿与核心科学技术问题，从半导体材料的表征、机制、应用和器件的制备等多个方面，介绍宽禁带半导体领域的前沿理论、核心技术及最新研究进展，具有科学性、创新性和前瞻性。
该丛书由12部专著组成，力求每一部阐释一个专题，深入浅出、图文并茂、文献丰富，包括《氮化镓基半导体异质结构及二维电子气》《氮化物半导体准范德华外延及应用》《氮化镓单晶材料生长与应用》《氮化铝单晶材料生长与应用》《氮化物半导体太赫兹器件》《氧化镓半导体器件》《宽禁带半导体紫外光电探测器》《宽禁带半导体核辐射探测器》《宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能》《金刚石半导体器件前沿技术》《宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征》《氮化镓微波功率器件》等。
业界人士认为，该丛书的出版既是宽禁带半导体领域最新研究成果的集中展示，也为从事宽禁带半导体材料和器件研发的科技工作者在相关方向的研究提供了新思路、新方法，对提升“中国芯”的自主创新和加快半导体产业高质量发展将起到重要的推动作用。
（记者孙海悦）
来源：中国新闻出版广电报/网
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